BOBAPP深圳市培育发展半导体与集成电路产业集群行动计划
栏目:行业资讯 发布时间:2022-08-05
 BOB在线《计划》指出:到2025年,产业营收突破2500亿元,BOBAPP形成3家以上营收超过100亿元和一批营收超过10亿元的设计企业,引进和培育3家营收超20亿元的制造企业,集成电路产业能级明显提升,产业结构更加合理。  此外,我们还要重点突破CPUGPUDSPFPGA等高端通用芯片的设计,布局人工智能芯片、边缘计算芯片等专用芯片的开发。  《计划》中还提到,我们要以5G通信产业为牵引,

  BOB在线《计划》指出:到2025年,产业营收突破2500亿元,BOBAPP形成3家以上营收超过100亿元和一批营收超过10亿元的设计企业,引进和培育3家营收超20亿元的制造企业,集成电路产业能级明显提升,产业结构更加合理。

  此外,我们还要重点突破CPUGPUDSPFPGA等高端通用芯片的设计,布局人工智能芯片、边缘计算芯片等专用芯片的开发。

  《计划》中还提到,我们要以5G通信产业为牵引,全面突破射频前端芯片、基带芯片、光电子芯片等核心芯片。聚焦智能“终端”等泛物联网应用,推动超低功耗专用芯片、NB-IoT芯片的快速产业化。围绕智能汽车等新兴业态,积极培育激光雷达等上游芯片供应链。

  《计划》提出,要全力提升核心技术攻关能力,持续推进关键领域研发计划,围绕关键材料、核心装备及零部件等领域开展技术攻关,支持EDA全流程设计工具系统开发,实现核心芯片产品突破,提升高端芯片市场占比,探索新型架构芯片研发。鼓励有条件的单位承担重大项目、重大技术攻关计划和重点研发计划。

  除此之外,深圳规划:到2025年建设4个以上专业集成电路产业园,形成“重点突出、错位协同”的集成电路产业发展空间格局。

  深圳市发展和改革委员会 深圳市科技创新委员会深圳市工业和信息化局深圳市国有资产监督管理委员会关于发布《深圳市培育发展半导体与集成电路产业集群行动计划(2022-2025 年)》的通知

  为落实《深圳市人民政府关于发展壮大战略性新兴产业集群和培育发展未来产业的意见》精神,加快培育半导体与集成电路战略性新兴产业集群,抢占新一轮产业发展的制高点,增强产业核心竞争力,根据国家、省相关产业规划,结合我市实际,特制定本行动计划。

  (一)发展现状。半导体与集成电路产业主要包括芯片设计、制造、封装测试,以及相关原材料、生产设备和零部件等。深圳是我国半导体与集成电路产品的集散中心、应用中心和设计中心之一,近年来产业保持快速发展态势,2021年深圳市集成电路产业主营业务收入超过1100亿元,拥有国家级集成电路设计产业化基地、国家第三代半导体技术创新中心、国家示范性微电子学院等重大创新平台,产业生态不断完善,产业集聚已初具规模。

  (二)存在问题。一是集成电路制造业规模有待提升,不能满足产业发展需求;二是工业软件、生产设备和关键材料对外依存度较高;三是重大功能型平台布局有待强化,产业共性问题需要加快解决;四是专业规划的集成电路产业园区还不够。

  (三)优势与机遇。一是深圳拥有丰富的上下游资源优势,上游设计能力突出,下游应用场景广泛;二是深圳创新要素市场化配置程度高、选人用人机制灵活,便于汇聚高端人才,有利于加速技术创新及成果转化;三是国家持续加大对集成电路产业支持力度,为深圳培育发展半导体与集成电路产业集群提供了良好的机遇。

  到2025年,建成具有影响力的半导体与集成电路产业集群,产业规模大幅增长,制造、封测等关键环节达到国内领先水平,产业链联动协同进一步加强,自主创新能力进一步提升,在重点产品和技术上形成突出的比较优势,BOBAPP突破一批关键核心技术,形成一批骨干企业和创新平台,打造若干专业集成电路产业园区,支撑和引领我市战略性新兴产业高质量发展。

  (一)产业规模持续增长。到2025年,产业营收突破2500亿元,形成3家以上营收超过100亿元和一批营收超过10亿元的设计企业,引进和培育3家营收超20亿元的制造企业,集成电路产业能级明显提升,产业结构更加合理。

  (二)技术创新优势明显。设计水平整体进入领军阵营,制造能力具备领先竞争力,宽禁带半导体技术能力对关键应用领域形成有力支撑。到2025年,设计行业骨干企业研发投入强度超10%,发明专利密集度和质量明显提高,国产EDA软件市场占有率进一步提升,实现一批关键技术转化和批量应用,形成完善的人才引进和培养体系,建成5个以上公共技术服务平台。

  (三)产业链条更加完善。建成较大规模生产线,设备、材料、先进封测等上下游环节配套完善,形成从衬底、外延到芯片制造到器件应用完整的宽禁带半导体产业链条。到2025年,产业链国产化水平进一步提升,本地产业链配套和协作能力显著增强。

  (四)园区建设成效显著。到2025年,规划建设4个以上专业集成电路产业园,形成“重点突出、错位协同”的集成电路产业发展空间格局。

  (一)全力提升核心技术攻关能力。持续推进关键领域研发计划,围绕关键材料、核心装备及零部件等领域开展技术攻关,支持EDA全流程设计工具系统开发,实现核心芯片产品突破,提升高端芯片市场占比,探索新型架构芯片研发。鼓励有条件的单位承担重大项目、重大技术攻关计划和重点研发计划。(市发展改革委、BOBAPP科技创新委及相关区政府按职责分工负责)

  (二)着力构建安全稳定产业链条。落实强链稳链补链,支持产业链设计、制造、封测各环节突破短板、优化提质,显著增强产业链竞争力。鼓励技术先进的IDM企业和晶圆代工企业新建或扩建研发和生产基地,重点布局12英寸硅基和6英寸及以上化合物半导体芯片生产线。大力引进先进封装测试生产线和技术研发中心,紧贴市场需求加快封装测试工艺技术升级和产能提升。(市发展改革委、科技创新委、工业和信息化局及相关区政府按职责分工负责)

  (三)聚力增强产业协作优势。强化产业支撑服务水平,做大产业服务平台,建成一批产业共性技术研发平台,完善投融资环境,加大金融支持力度,发挥国有资本产业引领带动作用,设立市级集成电路产业投资基金,重点支持全市基础性、战略性、先导性重大项目的引进,培育一批优质新锐企业上市,形成产业发展强大合力。(市发展改革委、财政局、科技创新委、工业和信息化局、地方金融监管局及相关区政府按职责分工负责)

  (四)构建高质量人才保障体系。实施更加积极、开放、有效的人才政策,坚持人才引进与培育并举,引进一批高水平专业人才,政产学研联动培养各层次专业人才,规划建设半导体领域专业院所和培训机构,强化人才队伍支撑,打造集成电路人才集聚高地。(市人才工作局、人力资源保障局、教育局及相关区政府按职责分工负责)

  (五)打造高水平特色产业园区。加大产业土地整备力度,提高土地出让审批效率,提供专业化产业空间,基于我市各片区集成电路产业发展基础与优势,结合产业趋势与各区战略定位,在重点片区着力打造一批要素集聚、配套完善、创新活跃的集成电路特色产业园区,推动集成电路产业集聚发展。(市发展改革委、规划和自然资源局及相关区政府按职责分工负责)

  (一)EDA工具软件培育工程。集聚一批EDA工具开发企业和专业团队,加强EDA工具软件核心技术攻关,推动EDA工具软件实现全流程国产化。支持开展先进工艺制程、新一代智能、超低功耗等EDA技术的研发。加大国产EDA工具推广应用力度,鼓励企业和科研机构购买或租用国产EDA工具软件,推动国产EDA工具进入高校课程教学。(市发展改革委、科技创新委、教育局及相关区政府按职责分工负责)

  (二)材料装备配套工程。开展聚酰亚胺、环氧树脂等先进封装材料的研发与产业化,加快光掩模、电子气体等半导体材料的研发生产。大力引进技术领先的半导体设备企业,推进检测设备、清洗设备等高端设备部件和系统集成开展持续研发和技术攻关,支持探索行业前沿技术。对进入知名集成电路制造企业供应链,进行量产应用的国产半导体材料、设备及零部件给予支持。(市发展改革委、科技创新委及相关区政府按职责分工负责)

  (三)高端芯片突破工程。重点突破CPU、GPU、DSP、FPGA等高端通用芯片的设计,布局人工智能芯片、边缘计算芯片等专用芯片的开发。以5G通信产业为牵引,全面突破射频前端芯片、基带芯片、光电子芯片等核心芯片。聚焦智能“终端”等泛物联网应用,推动超低功耗专用芯片、NB-IoT芯片的快速产业化。围绕智能汽车等新兴业态,积极培育激光雷达等上游芯片供应链。加强对设计企业流片支持。(市发展改革委、科技创新委、工业和信息化局及相关区政府按职责分工负责)

  (四)先进制造补链工程。加强与集成电路制造企业合作,规划建设28纳米及以上工艺制程晶圆代工厂,规划建设BCD、半导体激光器等高端特色工艺生产线。支持建设高端片式电容器电感器电阻器等电子元器件生产线。支持代表新发展方向的半导体与集成电路制造重大项目落户,引导国有产业集团、社会资本对项目进行股权投资。鼓励既有集成电路生产线改造升级。(市发展改革委、工业和信息化局、国资委及相关区政府按职责分工负责)

  (五)先进封测提升工程。紧贴市场需求加快封装测试工艺技术升级和产能提升,形成与设计、制造相匹配的封测能力。加快大功率MOSFET器件和高密度存储器件封装技术的研发和产业化。大力发展晶圆级、系统级等先进封装核心技术,以及脉冲序列测试、IC集成探针卡等先进晶圆级测试技术。支持独立测试分析服务企业或机构做大做强,与大型封装测试企业形成互补。(市发展改革委、工业和信息化局及相关区政府按职责分工负责)

  (六)化合物半导体赶超工程。提升氮化镓和碳化硅等化合物半导体材料与设备研发生产水平,加速器件制造技术开发、转化和首批次应用。面向5G通信、新能源汽车、智能终端等新兴应用市场,大力引进技术领先的化合物半导体企业。引导企业参与关键环节技术标准制定,抢占产业制高点,提升产品市场主导权和话语权。加速产品验证应用,鼓励企业推广试用化合物半导体产品,提升系统和整机产品的竞争力。(市发展改革委、科技创新委、工业和信息化局及相关区政府按职责分工负责)

  (七)产业平台强基工程。建设集成电路产业创新中心、IC设计平台、检测认证中心等公共服务平台,支持平台提供EDA工具租赁、试用验证、集成电路设计培训、公共软硬件环境、仿真和测试、多项目晶圆加工、先进封测、创新应用推广等服务。聚焦集成电路领域应用基础研究,强化创新平台建设。(市发展改革委、科技创新委、工业和信息化局及相关区政府按职责分工负责)

  (八)人才引育聚力工程。构建市场主导的人才认定体系和分级分类的人才专项扶持计划。靶向引进高端人才、创新团队和管理团队。大力发挥企业在人才培养中的作用,政产学研联动合力打造覆盖高、中、低各层级的集成电路产业人才梯队。加强现有高校的教育研发环境建设,扩大半导体专业招生规模,重点培养一批高层次、复合型人才。(市人才工作局、人力资源保障局、教育局及相关区政府按职责分工负责)

  (九)产业园区固基工程。加强集成电路产业用地供给,贯彻落实我市产业用地优惠政策,在土地供应方式、出让年期、价格等方面给予支持。支持符合条件的企业建设示范集成电路产业园,为重大项目和重大平台落地提供空间基础,为集聚高端人才和企业创造良好条件。统筹建设若干专业产业园区,形成重点突出、错位协同的产业格局。(市发展改革委、工业和信息化局及相关区政府按职责分工负责)

  立足现有产业基础,聚焦重点项目和关键领域,形成“东部硅基、西部化合物、中部设计”全市一盘棋的空间布局。以南山、福田、宝安、龙华、龙岗、坪山6个区为重点发展对象,其中龙岗兼具研发设计和生产制造功能,南山、福田为研发设计,宝安、龙华、坪山为生产制造。南山和福田区定位为设计企业集聚区,重点突破高端芯片设计,巩固深圳在集成电路设计领域的优势。宝安和龙华区定位为化合物半导体集聚区,打造从材料到芯片制造到器件应用完整的宽禁带半导体产业链条。龙岗和坪山区定位为硅基半导体集聚区,重点推进一系列硅基集成电路重大项目落地,布局从前端研发到芯片制造的产业链条。(市发展改革委、科技创新委、工业和信息化局及相关区政府按职责分工负责)

  (一)强化领导机制保障。强化统筹机制,整合各方资源,协调解决重大问题,建立重大项目投资决策机制和快速落地联动响应机制。落实领导干部挂点服务企业制度,及时解决企业发展面临的实际问题。切实发挥行业专家和智库机构专业作用,对产业发展的重大方向和政策措施开展调查研究,提供咨询意见。(市发展改革委、工业和信息化局及相关区政府按职责分工负责)

  (二)加大财税支持力度。加大财政专项资金向集成电路产业倾斜力度,支持骨干企业和初创企业发展。积极贯彻落实国家关于集成电路产业各项税收优惠政策。积极落实国家高新技术企业所得税优惠政策。(市财政局、科技创新委、深圳市税务局、深圳海关及相关区政府按职责分工负责)

  (三)落实环保配套措施。市生态环境局、市发展改革委、市工业和信息化局、市科技创新委等部门及各区,在依法依规前提下,加快办理集成电路项目环评手续。督促集成电路项目严格执行排放标准,满足环保要求。支持集成电路制造类企业形成区域产业集聚,推动污染集中治理,在集聚区高标准、严要求配套工业废水和固体废物收集、贮存等园区环境保护基础设施。(市发展改革委、科技创新委、工业和信息化局、生态环境局及相关区政府按职责分工负责)

  (四)构建金融支撑体系。充分利用国家集成电路产业投资基金,鼓励和引导银行等金融机构加大对集成电路产业的信贷支持力度,研究设立市级集成电路产业基金,支持各级信用担保机构为集成电路中小企业提供融资担保服务。引导融资租赁公司在深圳设立总部基地,支持企业通过融资租赁开展技术改造,支持企业充分利用主板、创业板、科创板等多层次资本市场上市融资发展。(市财政局、地方金融监管局及相关区政府按职责分工负责)

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  02 NOR门利用先进的硅栅极CMOS技术实现了与LS-TTL门电路相似的操作速度,同时保持了标准CMOS集成电路的低功耗。所有门带缓冲输出,具有高抗扰度,可以驱动10个LS-TTL负载.74HC逻辑系列的功能和引脚分配与标准74LS逻辑系列兼容。保护所有输入端,以免因内部二极管钳位至V CC 和地线的静电放电而受到损坏。 特性 典型传播延迟:8 ns 宽电源范围:2-6V 低静态电源电流:20 μA,最大值(74HC系列) 低输入电流:1μA,最大值 高输出电流:4 mA(最小值) 应用 这个p产品是一般用途,适用于许多不同的应用。 电路图、引脚图和封装图...

  00 NAND门利用先进的硅栅极CMOS技术实现了与LS-TTL门电路相似的操作速度,同时保持了标准CMOS集成电路的低功耗。所有栅极都有缓冲输出。所有器件都有高抗扰度,并且能够驱动10 LS-TTL负载.74HC逻辑系列的功能和引脚分配与标准74LS逻辑系列兼容。保护所有输入端,以免因内部二极管钳位至V CC 和地线的静电放电而受到损坏。 特性 典型传播延迟:8 ns 宽电源范围:2-6V 低静态电流:20μA,最大值(74HC系列) 低输入电流:1μA,最大值 10 LS-TTL负载的高扇出 应用 此产品是一般用途,适用于许多不同的应用。 电路图、引脚图和封装图...

  U04反相器利用先进的硅栅极CMOS技术实现了与LS-TTL门电路相似的操作速度,同时保持了标准CMOS集成电路的低功耗.MM74HCU04是一款无缓冲反相器。它具有高抗扰度,并且能够驱动15 LS-TTL负载.74HC逻辑系列的功能和引脚分配与标准74LS逻辑系列兼容。保护所有输入端,以免因内部二极管钳位至V CC 和地线的静电放电而受到损坏。 特性 典型传播延迟:7 ns 15 LS-TTL负载的高扇出 静态功耗:室温条件下最大值为10μA 低输入电流:1μA,最大值 应用 本产品是一般用途,适用于许多不同的产品应用。 电路图、引脚图和封装图...

  T164采用先进的硅栅极CMOS技术。具有标准CMOS集成电路的高抗噪能力和低功耗。它还具有可比低功率肖特基器件的速度。该8位移位寄存器具有门控串行输入和CLEAR。每个寄存器位为一个D类主/从触发器。输入A& B允许对涌入数据的全面控制。在一个或两个输入上的一个低电平将禁止新数据的进入且将第一个触发器在下一个时钟脉冲时重置至低电平。在一个输入的高电平使能其他输入,将决定第一个触发器的状态。串行输入的数据在时钟为高电平或低电平时将被改变,但是仅有满足设置和保持时间要求的信息进入。在正向电压在时钟脉冲转换期间,数据串行转移入和移出8位寄存器。清零与时钟无关,通过清零输入的低电平实现.74HCT逻辑系列的功能和引脚分配与标准74LS MM.7HCT器件专用于TTL和NMOS组件与标准CMOS器件之间的接口。另外,这些器件也是LS-TTL器件的插件替换件,而且可用于降低现有设计的功耗。 特 典型传播延迟:20 ns 低静态电流:40μA,最大值(74HCT系列) 低输入电流:1μA,最大值 10 LS-TTL负载的高扇出 兼容TTL输入 应用 此产品是一般用途,适用于许多不...

  595高速移位寄存器采用先进的硅栅极CMOS技术。此器件具有标准CMOS集成电路的高抗扰度和低功耗特点,可以驱动15个LS-TTL负载。它包含一个8位串进并移位寄存器,可以馈入8位D型存储寄存器。该存储寄存器具有8个3态输出。移位寄存器和存储寄存器都提供独立的时钟。移位寄存器具有直接覆盖清零,串行输入和串行输出(标准)引脚,以用于级联。移位寄存器和存储寄存器都使用正边沿触发时钟。如果两个时钟连接在一起,则移位寄存器状态始终比存储寄存器提前一个时钟脉冲.74HC逻辑系列在速度,功能和引脚输出上与标准74LS逻辑系列兼容。所有输入通过钳位至V CC 和接地的内部二极管加以保护,以免因静电放电而受损。 特性 低静态电流最大值(最大值) / ul

  带存储功能的8位串进并出移位寄存器 宽工作电压范围2V-6V 可级联 移位寄存器具有直接清零引脚 保证移位频率:DC到30MHz 应用 此产品是一般用途,适用于许多不同的应用程序。 电路图、引脚图和封装图...

  164采用先进的硅栅极CMOS技术。具有标准CMOS集成电路的高抗噪能力和低功耗。它还具有可比低功率肖特基器件的速度。该8位移位寄存器具有门控串行输入和CLEAR。每个寄存器位为一个D类主/从触发器。输入A& B允许对涌入数据的全面控制。在一个或两个输入上的一个低电平将禁止新数据的进入且将第一个触发器在下一个时钟脉冲时重置至低电平。在一个输入的高电平使能其他输入,将决定第一个触发器的状态。串行输入的数据在时钟为高电平或低电平时将被改变,但是仅有满足设置和保持时间要求的信息进入。在正向电压在时钟脉冲转换期间,数据串行转移入和移出8位寄存器。清零与时钟无关,通过清零输入的低电平实现.74HC逻辑系列的功能和引脚分配与标准74LS逻辑系列兼容。保护所有输入端,以免因内部二极管钳位至V CC 和地线的静电放电而受到损坏。 特性 典型工作频率:50 MHz 典型传播延迟:19 ns(调时至Q) 宽工作电压范围:2V至6V 低输入电流:1μA,最大值 低静态电源电流:80μA,最大值(74HC系列) 10 LS-TTL负载的高扇出 应用 该产品是一般用途,适用于许多不同的应用...

  373高速8路D类锁存采用先进的硅栅极CMOS技术。它们具有标准CMOS集成电路的高抗扰度和低功耗特点,可以驱动15个LS-TTL负载。由于具有大输出驱动能力和3态功能,这些器件非常适合与总线组织系统中的总线 LATCH ENABLE(锁存使能)输入为高电平时,Q输出端将要遵照D输入端。当LATCH ENABLE变为低电平时,D输入端的数据将保留在输出端,直到LATCH ENABLE再次返回高电平。当高逻辑电平应用于OUTPUT CONTROL(输出控制)输入端时,所有输出端进入高阻抗状态,不管其他输入端存在什么信号,也不管存储元件的状态如何.74HC逻辑系列在容量。保护所有输入端,以免因内部二极管钳位至V CC 和地线的静电放电而受到损坏。 特性 典型传播延迟:18 ns 宽工作电压范围2至6V 低输入[0]

  输出驱动能力:15 LS-TTL负载 应用 此产品是一般用法,适用于许多不同的应用。 电路图、引脚图和封装图...

  573高速八路D型锁存器采用先进的硅栅极P井CMOS技术。它们具有标准CMOS集成电路的高抗扰度和低功耗特点,可以驱动15个LS-TTL负载。由于具有大输出驱动能力和3态功能,这些器件非常适合与总线组织系统中的总线线路接口。当LATCH ENABLE(LE)输入为高电平时,Q输出端将要遵照D输入端。当LATCH ENABLE变为低电平时,D输入端的数据将保留在输出端,直到LATCH ENABLE再次返回高电平。当高逻辑电平应用于输出控制OC输入端时,所有输出端进入高阻抗状态,不管其他输入端存在什么74HC逻辑系列兼容。保护所有输入端,以免因内部二极管钳位至V CC 。信号,也不管存储元件的状态如何。和地线的静电放电而受到损坏。 特性 典型传播延迟:18 ns 宽工作电压范围2至6V 低输入电流:1μA,最大值 低静态电流:80μA,最大值(74HC系列) 兼容总线导向系统 输出驱动能力:15 LS-TTL负载 应用 此产品是一般用途,适用于许多不同的应用。 电路图、引脚图和封装图...

  T74利用先进的硅栅极CMOS技术实现了与LS-TTL等效部件相似的操作速度。它具有标准CMOS集成电路的高抗噪能力和低功耗特点,可以驱动10个LS-TTL负载。该触发器具有独立的数据,预设,清零和时钟输入以及Q和Q#输出。数据输入上的逻辑电平在时钟脉冲正向转换期间被传输到输出。预设和清零与时钟无关,通过适当输入端的低电平实现.74HCT逻辑系列在速度,功能和引脚排列上与标准74LS逻辑系列兼容。保护所有输入端,以免因内部二极管钳位至V CC...

  175高速D型触发器带互补输出,采用先进硅栅极CMOS技术达到标准CMOS集成电路的高抗干扰度和低功耗以及驱动10个LS-TTL负载的能力.MM74HC175 D输入信息在时钟脉冲的正向转换边沿被传输至Q和Q#输出。每个触发器都由外部提供原码和补充输入。所有四个触发器都由一个共用时钟和一个共用CLEAR控制。清零由CLEAR输入的一个负脉冲完成。所有四个Q输出被清零至逻辑“0”,所有四个Q#输出设为逻辑“1”.74HC逻辑系列的功能和引脚分配与标准74LS逻辑系列兼容。保护所有输入端,以免因内部二极管钳位至V CC 和地线的静电放电而受到损坏。 特性 典型传播延迟:15 ns 宽工作电压范围:2-6V 低输入电流:1μA,最大值 低静态电源电流:80μA,最大值(74HC) 高输出驱动电流:4 mA最小值(74HC) 应用 此产品是一般的用法,适用于许多不同的应用。 电路图、引脚图和封装图...

  574高速八通道D型触发器采用先进的硅栅极P井CMOS技术。它们具有标准CMOS集成电路的高抗扰度和低功耗特点,可以驱动15个LS-TTL负载。由于具有大输出驱动能力和3态功能,这些器件非常适合与总线组织系统中的总线线路接口.D输入端符合设置和保持时间要求的数据在时钟(CK)输入的正向转换期间传输到Q输出。当高逻辑电平应用于OUTPUT CONTROL(输出控制)输入端时,所有输出端进入高阻抗状态,不管其他输入端存在什么信号,也不管存储元件的状态如何。 74HC逻辑系列在速度,功能和引脚排列上与标准74LS逻辑系列兼容。保护所有输入端,以免因内部二极管钳位至V CC 和地线的静电放电而受到损坏。 特性 典型传播延:18 ns 宽工作电压范围2V-6V 低输入电流:1μA,最大值 低静态电流:80μA,最大值 兼容总线导向系统 输出驱动能力:15 LS-TTL负载 应用 此产品是一般用途,适用于许多不同的应用程序。 电路图、引脚图和封装图...

  74A利用先进的硅栅极CMOS技术实现了与LS-TTL等效部件相似的操作速度。它具有标准CMOS集成电路的高抗噪能力和低功耗特点,可以驱动10个LS-TTL负载。该触发器具有独立的数据,预设,清零和时钟输入以及Q和Q#输出。数据输入上的逻辑电平在时钟脉冲正向转换期间被传输到输出。预设和清零与742C逻辑系列兼容。保护所有输入端,以免因内部二极管钳位至V CC 和地线的静电放电而受到损坏。 特性 典型传播延迟:20 ns 宽电源范围:2-6V 低静态电流:40μA,最大值(74HC系列) 低输入电流: 1μA,最大值 10 LS-TTL负载的高扇出 应用 此产品是一般用途,适用于许多不同的应用。 电路图、引脚图和封装图...

  574高速八通道D型触发器采用先进的硅栅极P井CMOS技术。它们具有标准CMOS集成电路的高抗扰度和低功耗特点,可以驱动15个LS-TTL负载。由于具有大输出驱动能力和3态功能,这些器件非常适合与总线组织系统中的总线线路接口。在这里(CK)输入的正向转换过程中,D输入端的数据(符合设置和保持时间的要求)被传输到Q输出端。当高逻辑电平应用于OUTPUT CONTROL(输出控制)输入端时,所有输出端进入高阻抗状态,不管其他输入端存在什么信号,也不管74储逻辑系列兼容。保护所有输入端,以免因内部二极管钳位至V CC 和地线的静电放电而受到损坏。 特性 典型传播延迟:20 ns 宽工作电压范围2-6V 低输入电流:1μA,最大值 低静态电流:80μA,最大值 兼容总线导向系统 输出驱动能力:15 LS-TTL负载 应用 此产品是一般用法,适用于许多不同的应用。 电路图、引脚图和封装图...

  线性稳压器是单片集成电路,设计用作固定电压调节器,适用于各种应用,包括本地,卡上调节。这些稳压器采用内部限流,热关断和安全区域补偿。通过充分的散热,它们可以提供超过1.0 A的输出电流。虽然主要设计为固定电压调节器,但这些器件可以与外部元件一起使用,以获得可调电压和电流。 特性 输出电流超过1.0 A 无需外部元件 内部热过载保护 内部短路电流限制 输出晶体管安全区域补偿 输出电压提供1.5%,2%和4%容差 无铅封装可用 应用 可用于Surface Mount D 2 PAK和Standard 3 -Lead Transistor Packages 电路图、引脚图和封装图...

  MC33160 线系列是一种线性稳压器和监控电路,包含许多基于微处理器的系统所需的监控功能。它专为设备和工业应用而设计,为设计人员提供了经济高效的解决方案,只需极少的外部组件。这些集成电路具有5.0 V / 100 mA稳压器,具有短路电流限制,固定输出2.6 V带隙基准,低电压复位比较器,带可编程迟滞的电源警告比较器,以及非专用比较器,非常适合微处理器线路同步。 其他功能包括用于低待机电流的芯片禁用输入和用于过温保护的内部热关断。 这些线引脚双列直插式热片封装,可提高导热性。 特性 5.0 V稳压器输出电流超过100 mA 内部短路电流限制 固定2.6 V参考 低压复位比较器 具有可编程迟滞的电源警告比较器 未提交的比较器 低待机当前 内部热关断保护 加热标签电源包 无铅封装可用 电路图、引脚图和封装图...

  530双路降压DC-DC转换器是一款单片集成电路,专用于下游电压轨的汽车驾驶员信息系统。两个通道均可在0.9 V至3.3 V范围内进行外部调节,并可提供高达1600 mA的电流。转换器的工作频率为2.1 MHz,高于敏感的AM频段,并且相位差180°,以减少轨道上的大量电流需求。同步整流提高了系统效率。 NCV896530提供汽车电源系统的其他功能,如集成软启动,逐周期电流限制和热关断保护。该器件还可以与2.1 MHz范围内的外部时钟信号同步。 NCV896530采用节省空间的3 x 3 mm 10引脚DFN封装。 特性 优势 同步整改 效率更高 2.1 MHz开关频率 电感更小,没有AM频段发射 热限制和短路保护 故障保护 2输出为180°异相 降低输入纹波 内部MOSFET 降低成本和解决方案规模 应用 音频 资讯娱乐t 仪器 电路图、引脚图和封装图...

  NCP1532 降压转换器 DC-DC 双通道 低Iq 高效率 2.25 MHz 1.6 A.

  2双级降压DCDC转换器是一款单片集成电路,专用于为采用1节锂离子电池或3节碱性/镍镉/镍氢电池供电的便携式应用提供新型多媒体设计的核心和I / O电压。两个通道均可在0.9V至3.3V之间进行外部调节,每个通道可提供高达1.6A的电流,最大电流为1.0A。转换器以2.25MHz的开关频率运行,通过允许使用小电感(低至1uH)和电容器并以180度异相工作来减小元件尺寸,从而减少电池的大量电流需求。自动切换PWM / PFM模式和同步整流可提高系统效率。该器件还可以工作在固定频率PWM模式,适用于需要低纹波和良好负载瞬变的低噪声应用。其他功能包括集成软启动,逐周期电流限制和热关断保护。该器件还可以与2.25 MHz范围内的外部时钟信号同步。 NCP1532采用节省空间的超薄型3x3 x 0.55 mm 10引脚uDFN封装。 特性 优势 97%效率,50uA静态电流,0.3 uA关断电流 延长电池寿命和播放时间 2.25MHz开关频率 允许使用更小的电感和电容 模式引脚操作:仅在轻载或PWM模式下自动切换PWM / PFM模式 允许用户在轻载或低噪声和纹波性能之间选择低功耗 可调输出电压0.9V至3.3V 复位输出引脚...

  2B降压型DC-DC转换器是一款单片集成电路,针对便携式应用进行了优化,采用单节锂离子电池或三节碱性/镍镉/镍氢电池供电。该器件采用0.9 V至3.3 V的可调输出电压,可提供高达600 mA的电流。它使用同步整流来提高效率并减少外部部件数量。该器件还内置3 MHz(标称)振荡器,通过允许更小的电感器和电容器来减小元件尺寸。自动切换PWM / PFM模式可提高系统效率。其他功能包括集成软启动,逐周期电流限制和热关断保护。 NCP1522B采用节省空间的薄型TSOP5和UDFN6封装。 特性 优势 94%效率,50 uA静态电流,0.3 uA关断电流 延长电池寿命和播放时间 3.0 MHz开关频率 允许使用更小的电感(低至1uH)和电容 轻负载条件下PWM和PFM模式之间的自动切换 轻载时的低功耗 可调输出电压0.9V至3.3V 应用 终端产品 电源f或应用处理器 核心电压低的处理器电源 智能手机手机和掌上电脑 MP3播放器和便携式音频系统 数码相机和摄像机 电路图、引脚图和封装图...

  NCP1529 降压转换器 DC-DC 高效率 可调节输出电压 低纹波 1.7 MHz 1 A.

  9降压型DC-DC转换器是一款单片集成电路,适用于由一节锂离子电池或三节碱性/镍镉/镍氢电池供电的便携式应用。该器件可在外部可调范围为0.9 V至3.9 V或固定为1.2 V或1.35 V的输出范围内提供高达1.0 A的电流。它使用同步整流来提高效率并减少外部元件数量。该器件还内置1.7 MHz(标称)振荡器,通过允许使用小型电感器和电容器来减小元件尺寸。自动切换PWM / PFM模式可提高系统效率。 其他功能包括集成软启动,逐周期电流限制和热关断保护。 NCP1529采用节省空间的扁平2x2x0.5 mm UDFN6封装和TSOP-5封装。 特性 优势 96%效率,28 uA静态电流,0.3 uA关断电流 延长电池续航时间和播放时间 1.7 MHz开关频率 允许使用更小的电感和电容器 在轻负载条件下自动切换PWM和PFM模式 轻载时的低功耗 可调输出电压0.9V至3.9V 即使在PFM模式下,同类最佳低纹波 应用 终端产品 电池供电应用电源管理 核心电压低的处理器电源 USB供电设备 低压直流电源电源管理 手机,智能手机和掌上电脑 MP3播放器和便携式音频系统 电路图、引脚图和封装图...

  系列降压开关稳压器是单片集成电路,非常适合简单方便地设计降压型开关稳压器(降压转换器)。该系列的所有电路均能够以极佳的线 A负载。这些器件提供3.3 V,5.0 V,12 V,15 V的固定输出电压和可调输出版本。 此降压开关稳压器旨在最大限度地减少外部元件的数量,从而简化电源设计。标准系列电感器针对LM2575进行了优化,由多家不同的电感器制造商提供。 由于LM2575转换器是一种开关电源,与传统的三端线性稳压器相比,其效率要高得多,特别是在输入电压较高的情况下。在许多情况下,LM2575稳压器消耗的功率非常低,不需要散热器,也不会大幅降低其尺寸。 LM2575的特性包括在指定的输入电压和输出负载条件下保证4%的输出电压容差,以及振荡器频率的+/- 10%(0C至125C的+/- 2%)。包括外部关断,具有80 uA典型待机电流。输出开关包括逐周期电流限制,以及在故障条件下进行全保护的热关断。 特性 3.3 V,5.0 V,12 V ,15 V和可调输出版本 可调版本输出电压范围为1.23 V至37 V +/- 4%最大线 A输出电流 宽输入电压范围:4.75 V至40 V 仅需要4个外部元件 ...