电力电子器件市场需求拉动GaN领域融资热度持续上BOB体育升
栏目:公司新闻 发布时间:2022-08-05
 BOB手机版app集微网消息,第三代半导体材料主要用于光电子器件、电力电子器件和微波射频器件等领域。作为第三代半导体的代表性材料,SiC和GaN正迎来快速发展机遇。  集微网统计显示,2022年上半年,尽管受疫情影响,但国内第三代半导体领域融资热依旧延续,释放积极市场信号。上半年,第三代半导体领域融资事件超20起,总融资额超57亿元。  2021年下半年,BOB体育第三代半导体领域融资事件超1

  BOB手机版app集微网消息,第三代半导体材料主要用于光电子器件、电力电子器件和微波射频器件等领域。作为第三代半导体的代表性材料,SiC和GaN正迎来快速发展机遇。

  集微网统计显示,2022年上半年,尽管受疫情影响,但国内第三代半导体领域融资热依旧延续,释放积极市场信号。上半年,第三代半导体领域融资事件超20起,总融资额超57亿元。

  2021年下半年,BOB体育第三代半导体领域融资事件超19起,融资总额超118亿元,其中融资额最高的为积塔半导体80亿元战略融资事件。同时,积塔半导体此次融资,也成为2021下半年与2022上半年第三代半导体领域融资额差距的“原因”。

  集微网统计显示,从2020年下半年开始,第三代半导体领域融资事件呈高速增长势态,折射出良好的市场前景预判及旺盛的市场需求。2021年,在新能源汽车、工业互联、5G通信、消费类电子等领域的需求拉动下,第三代半导体产业加速发展。伴随SiC和GaN为代表的第三代半导体持续在电力电子市场取得突破,2022年全球第三代半导体市场总体将保持增长态势。

  SiC/GaN器件是目前应用较多的宽禁带半导体器件。相比传统的Si器件,宽禁带半导体器件有着耐压高、导通电阻小、开关损耗低、温度特性好、散热性能好等优点。

  由于GaN和SiC在材料性能上各有优势,因此在应用领域上各有侧重和互补。SiC器件更适用于最高环境温度高,或散热需求高,或满载要求效率极高的环境,主要的应用器件有功率控制单元、逆变器,DC-DC转换器、车载充电器等,尤其在新能源汽车市场的广阔前景之下,带动SiC功率器件迅猛增长。

  GaN器件具备极快开关速度和极低的开关损耗等优势,因此适用于需要高频率开关的场合。BOB体育GaN现阶段主要用于电力电子器件 、射频器件以及光电器件。目前,GaN在消费电子市场的快速充电器上已经得到广泛应用,由于具备开关频率高这一优势,使得GaN充电器可以减小变压器和电容体积以及发热量。2019年9月,OPPO发布国内首款GaN充电器SuperVOOC2.0,充电功率为65W,是全球首家在手机充电器中导入GaN技术的厂商。

  从被投企业类别来看,GaN领域企业融资事件与融资总额显著上升。其中,2022上半年GaN领域企业融资次数为7,英诺赛科完成近30亿元D轮融资,晶湛半导体、元旭半导体也都宣布完成数亿元融资。

  Yole数据显示,GaN器件市场正以59%的复合年增长率 (CAGR) 从2021年的1.26亿美元增长到2027年的20亿美元,BOB体育这一数据显著高于Yole对SiC器件市场34%的同期年复合增长率预判。到2027年,消费类电源市场的价值将超过9.156亿美元,2021年至2027年的年复合增长率为52%。

  得益于充电头等消费市场拉动,GaN电力电子器件市场规模在国内也将保持高速增长。据CASA Research数据,2020年国内PD快充GaN电力电子器件市场规模约1.5亿元,预计到2025年市场规模将超过40亿元,年均复合增长率97%。(校对/赵碧莹)返回搜狐,查看更多